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晶振系列

首頁歐美晶振Abracon晶振Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進(jìn)口石英晶體

    Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進(jìn)口石英晶體

  • 規(guī)格型號(hào):120752
  • 頻率:1.8432MHz~160.000MHz
  • 尺寸:11.5*5.0*13.46mm
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  • 產(chǎn)品描述:插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分.

Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進(jìn)口石英晶體
頻率范圍:1.8432MHz~160.000MHz
負(fù)載電容: 18pF
串聯(lián)電阻: Refer to*1
工作溫度: -0 ~ + 70 ℃
保存溫度: -55~ +125 ℃
精度 +/-50PPM

激勵(lì)電平: 100μW (Max.1000μW)
尺寸:11.5*5.0*13.46mm
應(yīng)用:CPU,內(nèi)存卡,電腦打印機(jī),數(shù)據(jù)通信,數(shù)據(jù)輸入, 輸出機(jī)等用途

  Abracon提供了廣泛的石英定時(shí)晶體和振蕩器,MEMS振蕩器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC),藍(lán)牙模塊,陶瓷諧振器,鋸濾器和諧振器,功率和射頻電感,變壓器,電路保護(hù)元件和射頻天線和無線充電線圈。作為一個(gè)解決方案供應(yīng)商,Abracon晶振的廣泛的產(chǎn)品線地址信號(hào)路徑,數(shù)據(jù)路徑和電源需求在最苛刻的應(yīng)用。ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時(shí)鐘或電壓控制晶體振蕩器(VCXO)解決方案標(biāo)準(zhǔn)尺寸為9x14mm。同超過12 kHz的37fs典型RMS抖動(dòng)20MHz帶寬@ 100MHz載波,ABLNO是性能驅(qū)動(dòng)的理想選擇通訊,射頻,無線回程,和儀器應(yīng)用。

  Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進(jìn)口石英晶體.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/U石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
  Abracon石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體諧振器元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。

Abracon晶振晶振型號(hào) AB晶振
頻率范圍 1.8432MHz~160.000MHz
頻率公差(25℃) ±50ppm的,可指定
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±100ppm的,可指定
操作溫度范圍 -0~+70℃,可指定
激勵(lì)電平 10μW (Max.200μW)
驅(qū)動(dòng)電平 100~1000μW(μW100典型)
負(fù)載電容 18pF,可指定
老化(25℃) ±5ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -55~+125℃



抗沖擊
  貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果進(jìn)口貼片晶振已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
  請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
  過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

1、振蕩電路
  插件石英晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
  配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
  晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
  在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
  組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
  使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
  當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,49U插件晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
  除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
  晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
  振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
  限制流入插件石英晶體的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
  電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
  C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
  適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
  電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
  安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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