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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振3225晶振,SG-310振蕩器,貼片有源晶振,SG-310SCF48.000MB3

    3225晶振,SG-310振蕩器,貼片有源晶振,SG-310SCF48.000MB3

  • 規(guī)格型號(hào)：47074064
  • 頻率：2MHz ～ 80MHz
  • 尺寸：3.2x2.5x1.05mm詳情請(qǐng)參考PDF資料
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述：3225晶振,SG-310振蕩器,貼片有源晶振,“SG-310SCF48.000MB3”,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng)...

   3225晶振,SG-310振蕩器,貼片有源晶振,貼片式石英晶體振蕩器,“SG-310SCF48.000MB3”低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
項(xiàng)目 符號(hào) 規(guī)格說明 條件
SG-310 SEF SG-310 SDF SG-310 SCF SG-310 SDN SG-310 SCN
輸出
頻率范圍		 f0 2.000MHz ～ 48.000MHz 3.000MHz ～ 80.000MHz  
電源電壓 VCC 1.8V Typ.
1.6V ～ 2.2V		 2.5V Typ.
2.2V ～ 3.0V		 3.3V Typ.
2.7V ～ 3.6V		 2.5V Typ.
2.2V ～ 2.7V		 3.3V Typ.
2.7V ～ 3.6V		  
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C ～ +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ～ +85°C  
頻率穩(wěn)定度 f_tol B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 -20°C ～ +70°C
L: ±50 × 10-6, M: ±100 × 10-6 -40°C ～ +85°C
- D:±20 × 10-6 ,
S:±25 × 10-6		 -20°C ～ +70°C
- R:±25 × 10-6 -30°C ～ +85°C
- P:±20 × 10-6 -30°C ～ +85°C
- J:±25 × 10-6 -40°C ～ +85°C
功耗 ICC 1.5mA Max. 1.5mA Max. 1.5mA Max. 4.0mA Max. 5.0mA Max. 無負(fù)載條件，
2MHz ≤ f0 ≤ 4MHz
1.5mA Max. 1.5mA Max. 2.0mA Max. 無負(fù)載條件，
4MHz < f0 ≤ 8MHz
1.5mA Max. 2.0mA Max. 2.5mA Max. 無負(fù)載條件，
8MHz < f0 ≤ 16MHz
2.0mA Max. 2.0mA Max. 2.5mA Max. 無負(fù)載條件，
16MHz < f0 ≤ 25MHz
2.0mA Max. 2.5mA Max. 3.5mA Max. 無負(fù)載條件，
25MHz < f0 ≤ 33MHz
3.0mA Max. 3.5mA Max. 4.5mA Max. 無負(fù)載條件，
33MHz < f0 ≤ 48MHz
- 6.0mA Max. 7.0mA Max. 無負(fù)載條件，
48MHz < 
f0 ≤ 80MHz
待機(jī)電流 I_std 0.7μA Max.
(0.2μA Typ.)		 1.5μA Max.
(0.5μA Typ.)		 2.0μA Max.
(1.0μA Typ.)		 10µA Max. ST=GND
占空比 SYM 45% ～ 55% 45% ～ 55% 45% ～ 55% 45% ～ 55% 2MHz ≤ f0 ≤ 16MHz 50% VCC極
L_CMOS ≤ 15pF
40% ～ 60% 16MHz < f0 ≤ 40MHz
40% ～ 60% 40MHz < f0 ≤ 80MHz
輸出電壓 VOH 90% VCC Min. IOH=-3mA
VOL 10% VCC Max. IOL=3mA
輸出
負(fù)載條件
（CMOS）		 L_CMOS 15pF Max.  
輸入電壓 VIH 80% VCC Min. 70% VCC Min. ST terminal
VIL 20% VCC Max. 30% VCC Max.
上升/
下降時(shí)間		 tr / tf 4ns Max. 20% VCC ～ 80% VCC極,
L_CMOS=15pF
振蕩啟動(dòng)
時(shí)間		 t_str 10ms Max. 2ms Max. 在90% VCC 時(shí)，所需時(shí)間為0秒
頻率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年，
VCC=1.8V, 2.5V, 3.3V
- ±10 × 10-6 Max. +25°C,10年


   晶振是一種易碎元器件，“SG-310SCF48.000MB3”1，對(duì)于晶振的保存方式，首先要考慮其周圍的潮濕度，做好防擠壓措施，放在干燥通風(fēng)的地方，使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.2，其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在較高的貨架上，在使用的過程，也不宜使晶振跌落，一般來說，從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.3，在晶振焊錫過程中，其焊錫的溫度不宜過高，焊錫時(shí)間也不宜過長，防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變，而產(chǎn)生不穩(wěn)定.4，晶振外殼需要接地時(shí)，應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振，5，保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連，否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振，6，對(duì)于需要剪腳的晶振，應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響。7，焊錫之后，要進(jìn)行清洗，以免絕緣電阻不符合要求

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