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晶振系列

首頁進口晶振VCXO晶振,VG-4231CA振蕩器,進口有源晶振

    VCXO晶振,VG-4231CA振蕩器,進口有源晶振

  • 規(guī)格型號:59272035
  • 頻率:1MHz~80MHz
  • 尺寸:5.0x7.0x1.4mm詳情請參考PDF資料
  • PDF
  • 產品描述:VCXO晶振,VG-4231CA振蕩器,進口有源晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高...
 
    VCXO晶振,VG-4231CA振蕩器,進口有源晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

項目 符號 VG-4231CA VG-4232CA 條件
輸出頻率范圍 f0 1.000MHz to 60.000MHz 60.001MHz to 80.000MHz 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息。
電源電壓 VCC H:5.0V ±0.5V, 
C:3.3V ±0.3V
C:3.3V ±0.165V  
壓控電壓 VC H:2.5V ±2.0V, 
C:1.65V ±1.5V
1.65V ±1.65V  
儲存溫度 T_stg -40°C to +125°C -55°C to +125°C 裸存
工作溫度 T_use 如下表所示  
頻率穩(wěn)定度 f_tol 如下表所示 VC=2.5V(**H),VC=1.65V(**C)
功耗 ICC H:20mA Max. ,
C: 10mA Max.
35mA Max. 無負載條件
輸出禁用電流 I_dis H:15mA Max. ,
C: 7mA Max.
25mA Max. OE=GND
頻率控制范圍 F_cont R:±130 × 10-6 -  
絕對頻率
控制范圍 *1
APR D:±80 × 10-6 Min., 
G:±65 × 10-6 Min.
±50 × 10-6 Min.  
調制特性 BW 15kHz Min. 5kHz Min. ±3dB(at 1kHz)
輸入電阻 Rin 50kΩ Min. 80kΩ Min. F或T類型 DC極
H:- , C:10MΩ Min. - M或Z類型
頻率變化極 - 正極  
占空比 SYM 40% to 60% 45% to 55% CMOS負載:50% VCC
輸出電壓 VOH VCC-0.4V Min. 90% VCC Min. IOH=-4mA(**H)
IOH=-0.8mA(**C)
0.4V Max. 10%VCC Max. IOL=4mA(**H )
,IOL=3.2mA(**C)
輸出負載條件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max. CMOS負載
輸入電壓 VIH 70% VCC Min. OE 終端
VIL 30% VCC Max.
上升/下降時間 tr / tf 4ns Max. 5ns Max. CMOS負載:
20% VCC to 80% VCC
振蕩啟動時間 t_str 10ms Max. 在90% VCC 時,所需時間為0秒
頻率老化 f_aging ±10 × 10-6 Max. *2 頻率穩(wěn)定度包含 +25°C,10年


   晶振是一種易碎元器件,1,對于晶振的保存方式,首先要考慮其周圍的潮濕度,做好防擠壓措施,放在干燥通風的地方,使其晶體避免受潮導致其他電氣參數發(fā)生變化.2,其次對于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過程,也不宜使晶振跌落,一般來說,從高空跌落的晶振不應再次使用.3,在晶振焊錫過程中,其焊錫的溫度不宜過高,焊錫時間也不宜過長,防止晶體因此發(fā)生內變,而產生不穩(wěn)定.4,晶振外殼需要接地時,應該確保外殼和引腳不被意外連通而導致短路.從而導致晶體不起振,5,保證兩條引腳的焊錫點不相連,否則也會導致晶體停振,6,對于需要剪腳的晶振,應該注意機械應力的影響。7,焊錫之后,要進行清洗,以免絕緣電阻不符合要求

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