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晶振系列

首頁進口晶振鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振

    鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振

  • 規(guī)格型號:79009381
  • 頻率:8.000MHZ-80.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*0.9mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛的適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家用電器,MP3,MP4,音頻播放器,單片機等領域

鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振
參數(shù):頻率范圍8.000MHZ-80.000MHZ
激勵電平: 100μW (Max.300μW )
負載電容:10PF
工作溫度: -30℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±10ppm,±30ppm,±50ppm
捆包范圍:1000pcs/reel
尺寸:時尚薄輕型5.0*3.2*0.9mm
應用:藍牙耳機,電話機,兒童智能玩具,無線通訊,智能多用途遙控器,數(shù)碼相機,GPS定位系統(tǒng),便捷式移動電源等數(shù)碼產(chǎn)品。

        鴻星電子已經(jīng)成為全球從事石英晶振頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體系列產(chǎn)品之研發(fā)、設計、生產(chǎn)與營銷。鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質量、服務及價值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵員工以團隊合作及積極成長的態(tài)度與時俱進。
        鴻星的核心精神:誠信負責、團隊合作、專業(yè)創(chuàng)新、積極成長。鴻星的愿景:HOSONIC以先進技術、優(yōu)異質量、完善服務,成為石英晶體產(chǎn)業(yè)最具競爭優(yōu)勢的品牌。因此鴻星建立有機學習成長的平臺,激勵跨單位團隊合作的活動,要為更好的環(huán)境與產(chǎn)品不斷的改善。


         鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振,為一款5032mm四腳貼片無源石英水晶振動子,有區(qū)別于二腳的5032mm晶體諧振器,四個腳的點位設計,可以應用的產(chǎn)品更加廣泛,可對應自動貼片系統(tǒng)安裝,頻率范圍為8.000MHZ~80.000MHZ,常規(guī)精度為+/-10ppm,擁有高頻率高精度的穩(wěn)定性,因此HCX-5SB晶振具有可靠的高信賴性,尤其適用于家電領域。

鴻星晶振型號 HCX-5SB晶振,鴻星貼片晶振
頻率范圍 8.000MHZ~80.000MHZ
頻率公差(25℃) ±10ppm,±30ppm,±50ppm
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±10ppm,±30ppm,±50ppm可指定
操作溫度范圍 -30~+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 3pF Max.
驅動電平 50μW(μW100典型)
負載電容 12pF,可指定
老化(25℃) ±2 ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -55~+125℃



抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果石英晶體諧振器已受過沖擊請勿使用。 
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免照射。 
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。) 
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。 
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作


1. 驅動能力
驅動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示諧振器的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在臺灣晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加
振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能水晶振子導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設置參考

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