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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振EPSON振蕩器,SG7050EBN晶振,7050晶振,有源晶振,SG7050EBN 100.000000M-DJGA3

    EPSON振蕩器,SG7050EBN晶振,7050晶振,有源晶振,SG7050EBN 100.000000M-DJGA3

  • 規(guī)格型號(hào):23550185
  • 頻率:100.000MHZ~175.000MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0*1.5mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于高端的網(wǎng)絡(luò)路由器,網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)時(shí)鐘線路,“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”無(wú)線通信,智能手機(jī),平板筆記本,超級(jí)計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品.

EPSON振蕩器,SG7050EBN晶振,7050晶振,有源晶振“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”
參數(shù):頻率范圍100 .000MHZ-175.000MHZ
電源電壓: 3.3V
輸出方式: LV-PECL
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±50ppm
功耗:75 mA Max.
尺寸:大體積重量輕7.0*5.0*1.4mm
應(yīng)用:智能家居中使用的遙控裝置、數(shù)碼周邊產(chǎn)品、航空器件、安防設(shè)備、電話分撥器、10G以太網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)路由器、光纖通信等產(chǎn)品。


      愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson — yocom)將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮石英晶振的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”同時(shí),融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過(guò)上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來(lái)而竭誠(chéng)奉獻(xiàn). 


       EPSON振蕩器,SG7050EBN晶振,7050晶振,有源晶振,“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”可能是世界上體積最大的差分晶振,擁有7.0*5.0*1.5mm的封裝,頻率穩(wěn)定度高達(dá)±50ppm,振動(dòng)啟動(dòng)的時(shí)間為3 ms,如果電源電壓達(dá)到最低的時(shí)候,所需時(shí)間為0秒,可快速達(dá)到起振的效果,老化時(shí)間最長(zhǎng)可以到10年左右,通過(guò)了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO 14000的規(guī)定。

晶振型號(hào)/輸出類型 SG7050EBN晶振,愛普生石英晶振
晶振類型 SPXO振蕩器
占空比 45 % ~ 55 %
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 5.0V
頻率范圍2 100.000MHZ-175.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±50ppm
工作溫度 -40~+85℃
保存溫度 -55~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動(dòng)時(shí)間 3 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管
差分晶振設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
 PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存
進(jìn)口晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害
產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振產(chǎn)品使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表


2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)
石英晶體振蕩器波形經(jīng)過(guò)的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)

3.    測(cè)試電路

SG7050EBN晶振 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN
·          
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN
·               
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN
 
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN
 
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

SG7050EBN

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