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晶振系列

首頁進口晶振貼片晶振,溫補晶振,SG7050EAN晶振,愛普生晶振,SG7050EAN 125.000000M-KEGA3

    貼片晶振,溫補晶振,SG7050EAN晶振,愛普生晶振,SG7050EAN 125.000000M-KEGA3

  • 規(guī)格型號:38966362
  • 頻率:73.500MHz~700.000MHz
  • 尺寸:7.0*5.0*1.4mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產品描述:廣泛應用于GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網,“SG7050EAN 125.000000M-KEGA3”,串行ATA,平臺發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

“SG7050EAN 125.000000M-KEGA3”貼片晶振,差分晶振,SG7050EAN晶振,愛普生晶振
參數(shù):頻率范圍73.500MHZ-700.000MHZ
電源電壓:3.3V

頻率老化:  ±5ppm
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 ±20ppm、±30ppm、±50ppm
輸出方式:LV-PECL
尺寸:大體積7.0*5.0*1.4
應用:無線通訊、筆記本電腦、電子儀器儀表、電子檢測工具、無線充電設備、網絡路由器、移動通信等產品。

         “SG7050EAN 125.000000M-KEGA3”愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界。在電子部件幅員中,2008年石英晶體振蕩器(包括Cystral和OSC)的市場規(guī)模僅約為半導體(約2600億美元)的2%(約50億美元)不到,算是利基市場,也因此身為其間的指導廠商。愛普生拓優(yōu)科夢把半導體(IC)稱之為“產業(yè)之米”,并認為晶體元器件更是離不開的“產業(yè)之鹽”.將進一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景。


       貼片晶振,差分晶振,SG7050EAN晶振,愛普生晶振,“SG7050EAN 125.000000M-KEGA3”這款EPSON品牌的差分晶振的參數(shù)與同是有差分信號的5032mm貼片晶振和3225mm貼片晶振的參數(shù)差不多,不同的是SG7050EAN晶振的尺寸比較大,體積有7.0*5.0*1.4mm,而且輸出方式是LV-PECL,常用的電壓提2.5V和3.3V,低功耗,低抖動,并且通過了歐盟的ROHS規(guī)定。

晶振型號/輸出類型 SG7050EAN晶振,貼片石英晶振
晶振類型 SPXO振蕩器
占空比 45 % ~ 55 %
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍2 73.500MHZ-700.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±20ppm、±30ppm、±50ppm
工作溫度 -40~+85℃
保存溫度 -40~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動時間 3 ms Max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 1個PS最大。
老化率 ±5ppm /年最大。




“SG7050EAN 125.000000M-KEGA3”抗沖擊
有源晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致進口晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞愛普生晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

1.驅動能力
驅動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過單元的電流,
Re表示單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則這款石英振蕩器會增加啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極
注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致這款貼片晶振的頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

電容特征.png

頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設置參考

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