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首頁常見問題 設計Quartz Crystal時有哪些參數(shù)要考慮

設計Quartz Crystal時有哪些參數(shù)要考慮

來源:http://netflixyz.com 作者:金洛鑫電子 2019年03月30
   具有獨特的頻率振蕩和壓電效應的石英晶體諧振器,是比較常用的一種電子元器件,你幾乎可以在任何一種產(chǎn)品內(nèi)部的PCB板上見到它,而且Quartz Crystal的外形多變,有金屬面SMD型,黑色陶瓷面SMD型,圓柱插件,49S插件,插件彎腳等封裝。這些不同的外形跟它們的生產(chǎn)方式和技術有很大的關系,晶體制造商在確認好方案后,就要開始設計了。電子零件本身就是比較復制的東西,設計一款石英晶體要考慮的很多,規(guī)格參數(shù)是重中之重,而且這些參數(shù)還很多,本文的目的就是介紹晶體設計的主要參數(shù)。
   可移動性:可移動性是指晶體單元的頻率變化,從自然諧振頻率(Fr)到負載諧振頻率(FL),或從一個負載諧振頻率到另一個負載諧振頻率。參見圖C.給定晶體單元在給定負載電容值下表現(xiàn)出的可牽展性量是并聯(lián)電容(Co)和晶體單元的運動電容(C1)的函數(shù)。
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   阻抗/電抗曲線:晶體具有兩個零相位頻率,如圖D所示。兩者中的第一個或更低的是串聯(lián)諧振頻率,表示為(s)。此時,晶體在電路中呈現(xiàn)電阻,阻抗最小,電流最大。隨著頻率增加超過串聯(lián)諧振點,晶體在電路中看起來是電感性的。當運動電感和并聯(lián)電容的電抗抵消時,時鐘晶體處于反共振頻率,表示為(fa)。此時,阻抗最大化并且電流最小化。
   場振動:有兩種基本類型的振動,周期性和隨機性。通常,場中的振動產(chǎn)生復雜的運動波,其可以影響石英晶體的輸出。由于振動引起的大多數(shù)故障是機械放大共振的直接結(jié)果,因為諧振區(qū)域達到更高的加速度水平,導致更高的損壞可能性。應使用原型對所有影響振動的因素進行全面評估。應考慮結(jié)構(gòu)系統(tǒng),部件位置,安裝和封裝以最大化穩(wěn)定性。請記住,水晶的設計可以承受正常的操縱振動;增加的耐用性可能會對穩(wěn)定性或老化等理想品質(zhì)產(chǎn)生不利影響。
   品質(zhì)因數(shù)(Q):晶體單元的“Q”值是單位相對質(zhì)量或振蕩效率的量度。晶體單元的最大可達到的穩(wěn)定性取決于“Q”值。在圖D中,串聯(lián)和并聯(lián)頻率之間的間隔稱為帶寬。帶寬越小,“Q”值越高,電抗斜率越陡。外部電路元件的電抗變化對高“Q”晶體的影響較?。?ldquo;可拉性”較?。?,因此這種部件更穩(wěn)定。
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   串聯(lián)與并聯(lián):“串聯(lián)”諧振晶體適用于Oscillator反饋環(huán)路中不含無功元件的電路。“并聯(lián)”諧振晶體用于在振蕩器反饋環(huán)路中包含無功元件(通常是電容器)的電路中。這種電路取決于電抗元件和晶體的組合,以實現(xiàn)在特定頻率下啟動和保持振蕩所需的相移。兩個這樣的電路的基本描述如下所示。
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   負載電容:這是指晶體外部的電容,包含在振蕩器電路的反饋環(huán)路中。如果應用需要“并聯(lián)”諧振晶體,則必須指定負載電容的值。如果應用需要“串聯(lián)”諧振晶體,則負載電容不是一個因素,無需指定。負載電容是在PCB上的晶體端子上測量或計算的電容量。
   頻率容差:頻率容差是指在特定溫度(通常為+25°C)下與標稱值的允許偏差,單位為百萬分率(PPM)。
   老化:老化是指石英水晶振子單元隨時間經(jīng)歷的頻率累積變化。影響老化的最常見因素包括驅(qū)動水平,內(nèi)部污染,晶體表面變化,環(huán)境溫度,電線疲勞和摩擦磨損。通過適當?shù)碾娐吩O計可以最大限度地減少所有這些問題,從而實現(xiàn)低工作溫度,最小驅(qū)動電平和靜態(tài)預老化。
   如果可拉性是設計的一個因素,建議與我們的工程師合作;在制造期間,通過改變晶體參數(shù)可以在一定程度上控制帶寬。標準晶體的拉伸極限的近似值可以從以下公式獲得:
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   確切的限制還取決于晶體的Q值以及相關的雜散電容。通過改進的晶體制造和在石英晶體外部增加電容或電感,可拉性大約加倍。如果已知Co和C1,則可以使用以下公式獲得兩個電容之間的拉入ppm。
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   要獲得關于已知負載電容的每pF的AVERGE牽引,請使用以下公式。
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   等效電路:等效電路,如圖B所示,是在自然諧振頻率下工作時石英水晶諧振器單元的電氣描述。CO或并聯(lián)電容表示晶體電極的電容加上支架引線的電容。R1,C1和L1組成晶體的“運動臂”,稱為運動參數(shù)。運動電感(L1)代表晶體單元的振動質(zhì)量。運動電容(C1)代表石英的彈性,電阻(R1)代表石英內(nèi)發(fā)生的體積損失。
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   負載電容的計算:如果電路配置如圖A所示并聯(lián)版本,負載電容可通過以下公式計算:
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   C雜散包括晶體1和晶體2引腳上的微處理器芯片的引腳到輸入和輸出電容,以及任何寄生電容。根據(jù)經(jīng)驗,可假設Cstray等于5.0pF。因此,如果CL1=CL2=50pF,則CL=30pF。
微調(diào)靈敏度:微調(diào)靈敏度是負載電容值增量變化的增量分數(shù)頻率變化的量度。修剪靈敏度(S)以PPM/pF表示,并通過以下等式計算:
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其中(Ct)是Co和CL的總和
   表面貼裝器件的焊料回流:SMD晶振單元的安裝通常通過焊料回流來實現(xiàn),如圖E所示,通過紅外線加熱或通過氣相。下圖描繪了兩種方法中每種方法的推薦時間和溫度。
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焊接特性:可以使用多種方法將ECS晶振產(chǎn)品焊接到PCB和基板上:
   •波浪或雙波
   •熱空氣或?qū)α髁鲃?br />    •氣相回流
   •紅外回流
   •氣泡焊接浸入
   •其他(激光等)
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   由于材料的天然特性,我們的一些石英晶體無法承受熱沖擊。極端溫度會導致從外殼內(nèi)部鍍錫(Sn)到達其熔點,在石英元件上沉積焊料。這可能導致組件以較低頻率振蕩或完全失效。在其他情況下,焊接接觸會降低,導致開路。通過預熱元件和電路板,并遵循上面提到的推薦的焊接工藝時間/溫度曲線,可以避免這些問題。有用的水晶方程:
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   沖擊特性:雖然晶體設計用于處理正常的沖擊,但在現(xiàn)場可能會發(fā)生沖擊脈沖(如半正弦,方波,鋸齒和復雜組合)。由于晶體相對脆弱,因此應將它們與設備隔離,以盡量減少沖擊損壞。但是,避免過度規(guī)范,因為材料的彈性和設備提供的隔離程度可以降低沖擊的破壞性潛力。
   平時經(jīng)常接觸的頻率,頻率容差,負載電容,工作溫度等,也在晶體的設計范圍之內(nèi),該資料由深圳市金洛鑫電子有限公司整理,越來越多的產(chǎn)品工程師,為了更好的使用晶振而去了解相關的基礎知識,和技術資料等。

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