8大基礎(chǔ)論述石英晶體與MEMS振蕩器的實(shí)際應(yīng)用及性能
　　十幾年來(lái)頻率元件行業(yè)里一直存在著一種爭(zhēng)論,就是石英晶體和MEMS振蕩器哪種應(yīng)用更廣泛?和哪種的性能和性?xún)r(jià)比更高?相關(guān)的業(yè)界學(xué)術(shù)論文和技術(shù)資料多不勝數(shù),但始終沒(méi)有個(gè)結(jié)果,目前市場(chǎng)上發(fā)展方向仍然是以傳統(tǒng)的石英水晶為主,石英晶體和石英晶體振蕩器的受眾群體更大,市場(chǎng)占有比率也是非常高的.但也并不能說(shuō)明硅晶體振蕩器沒(méi)有太大用處,從參數(shù),性能,貨源,作用和應(yīng)用范圍來(lái)看,MEMS可編程晶振也并不遜于普通的石英.
　　當(dāng)討論振蕩器時(shí),會(huì)出現(xiàn)相同的問(wèn)題.在關(guān)鍵應(yīng)用,MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))或石英振蕩器中,性能的選擇是什么?自2005年以來(lái),基于MEMS的振蕩器已投放市場(chǎng).在過(guò)去的15多年中,少數(shù)公司開(kāi)發(fā)了基于MEMS的振蕩器.如今,只剩下少數(shù)幾個(gè)了,領(lǐng)先的基于MEMS的振蕩器制造商約占整個(gè)時(shí)序市場(chǎng)的1％.兩家公司的許多頻率控制制造商都擁有自有品牌,但ECS除外,他們認(rèn)為這種做法沒(méi)有任何價(jià)值.
　　為電子設(shè)備或通信設(shè)備選擇振蕩器時(shí),您需要考慮一些時(shí)序注意事項(xiàng):系統(tǒng)性能,系統(tǒng)時(shí)鐘,信號(hào)質(zhì)量和參考信號(hào)源.這些是決定產(chǎn)品性能水平的關(guān)鍵參數(shù).
　　您可能已經(jīng)看過(guò)MEMS制造商的另一段視頻,將MEMS振蕩器與獨(dú)立的石英晶體進(jìn)行了比較.事實(shí)證明,無(wú)論是石英晶振,SAW聲表面濾波器,陶瓷晶振還是MEMS可編程振蕩器,任何振蕩器都將始終勝過(guò)任何獨(dú)立的諧振器.因此,將振蕩器與晶體進(jìn)行比較并不是對(duì)振蕩器性能的真實(shí)測(cè)試.在這種并排比較中,我們將研究并直接比較基于石英的振蕩器和MEMS振蕩器.
　　1) 石英振蕩器.
　　2) 基于MEMS的振蕩器.
結(jié)構(gòu)與特點(diǎn):
　　晶體振蕩器使用石英晶體基準(zhǔn)和簡(jiǎn)單的振蕩器電路,MEMS振蕩器使用硅諧振器作為振蕩源,并需要PLL電路來(lái)校正頻率以達(dá)到制造公差和溫度系數(shù).正如這些基本結(jié)構(gòu)所示,晶體振蕩器是簡(jiǎn)單構(gòu)建的高質(zhì)量時(shí)鐘.相反,MEMS振蕩器具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)由MEMS諧振器,分?jǐn)?shù)nPLL和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)組成.他們還需要進(jìn)行制造校準(zhǔn)才能正確運(yùn)行.

這些振蕩器的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示.

　　ECS IncInternational測(cè)試和測(cè)量了基于石英的有源晶振和基于MEMS的振蕩器,并將它們與六個(gè)參數(shù)進(jìn)行了比較,這六個(gè)參數(shù)對(duì)于通信,網(wǎng)絡(luò),工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的設(shè)計(jì)至關(guān)重要.ECSInc還提供了已編譯數(shù)據(jù)的摘要:
　　1.功耗:消耗多少電流?
　　2.振蕩器起振:通電后振蕩器起振的速度有多快.
　　3.抖動(dòng)和相位噪聲:噪聲性能是什么(通信設(shè)備中的關(guān)鍵因素)?
　　4.頻率與溫度特性:頻率相對(duì)于溫度變化的穩(wěn)定性如何?
　　5.頻率穩(wěn)定性:在25℃下測(cè)量時(shí),頻率有多穩(wěn)定?
　　6.振動(dòng)靈敏度:在不利條件下的性能
　　7.可靠性:平均故障間隔時(shí)間.也稱(chēng)為(MTBF)
　　8.摘要:總體績(jī)效評(píng)估.
1.耗電量:
　　基于石英的振蕩器具有低得多的功耗,因?yàn)樗鼈兙哂谢ɑ蛑C波振蕩以及簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì).相比之下,基于MEMS的振蕩器會(huì)消耗更多的功率,因?yàn)樗鼈兙哂懈嗟碾娐?PLL和LCVCO會(huì)增加總功耗.結(jié)果,MEMS可編程晶體振蕩器的功耗為6.09mA,而標(biāo)準(zhǔn)石英振蕩器的功耗約為3.16mA,這是MEMS所需的電流的兩倍,以達(dá)到與石英振蕩器相當(dāng)?shù)亩秳?dòng)和相位噪聲水平.

8大基礎(chǔ)論述石英晶體與MEMS振蕩器的實(shí)際應(yīng)用及性能

圖2:40MHzMEMS和石英振蕩器的功耗測(cè)量.

2.振蕩器起振特性
　　比較振蕩器上電時(shí)的穩(wěn)定性,石英振蕩器在上電后幾乎達(dá)到1ppm的精度.盡管MEMS振蕩器難以達(dá)到2ppm的精度.啟動(dòng)后,石英振蕩器是穩(wěn)定的,但是正如您所看到的,由于PLL和LVCO試圖穩(wěn)定,因此MEMS振蕩器呈現(xiàn)出震顫.如下圖3所示.
　　今天,快速啟動(dòng)比以往任何時(shí)候都更為重要.無(wú)論是在消費(fèi)產(chǎn)品,自動(dòng)化還是軍事應(yīng)用中,當(dāng)今的電子設(shè)備都需要關(guān)閉電源然后再打開(kāi),以延長(zhǎng)電池壽命或使系統(tǒng)聯(lián)機(jī).時(shí)鐘在需要時(shí)啟動(dòng)并穩(wěn)定運(yùn)行.使用具有更快啟動(dòng)和穩(wěn)定度的振蕩器,例如ECSInc.的石英振蕩器,可以縮短喚醒周期并延長(zhǎng)電池壽命.

圖3:振蕩器起振特性40MHz

3.抖動(dòng)和相位噪聲
　　A)抖動(dòng)
　　我們選擇價(jià)格可比的振蕩器.一種帶有基于MEMS的諧振器,另一種帶有基于石英的諧振器.當(dāng)測(cè)量MEMS振蕩器在12kHz至20MHz范圍內(nèi)的抖動(dòng)時(shí),得到的抖動(dòng)為1.5pSrms.在12kHz至20MHz的SONET帶寬上測(cè)試基于石英的晶體振蕩器時(shí),我們實(shí)現(xiàn)了0.18pSrms的均方根抖動(dòng).這幾乎是MEMS振蕩器的八倍.選擇ECS零件進(jìn)行比較是因?yàn)樗窃S多應(yīng)用中使用的“標(biāo)準(zhǔn)振蕩器”,并已批量生產(chǎn).請(qǐng)參見(jiàn)下面的圖4.
　　B)相位噪聲
　　實(shí)驗(yàn)室測(cè)量還表明,SMD有源晶振的相位噪聲要比MEMS振蕩器好得多.MEMS振蕩器具有較高的相位噪聲以實(shí)現(xiàn)低失調(diào),因?yàn)榕c石英相比,硅諧振器的”Q”或品質(zhì)因數(shù)較差.在10Hz時(shí),石英振蕩器的相位噪聲比MEMS振蕩器好36dB.低失調(diào)的相位噪聲對(duì)于無(wú)線通信至關(guān)重要,并可能導(dǎo)致光通信中的某些錯(cuò)誤.MEMS振蕩器在高失調(diào)(12kHz至20MHz)時(shí)也具有較高的相位噪聲,因?yàn)樗鼈冊(cè)赑LL電路中使用了低QLC振蕩器.

圖4:石英與MEMS的相位噪聲性能

　　MEMS振蕩器具有由小數(shù)n分頻器引起的雜散.這些雜散會(huì)發(fā)生在帶內(nèi)并引起確定性抖動(dòng)(DJ),從而降低系統(tǒng)誤碼性能.對(duì)于所有類(lèi)型的電路:有線,光學(xué)和無(wú)線電路,抖動(dòng)引起的DJ必須被視為抖動(dòng)預(yù)算的一部分.使用基本晶體的石英振蕩器沒(méi)有這種雜散.

圖5:比較振蕩器的測(cè)得抖動(dòng)和相位噪聲.

4.頻率穩(wěn)定度
　　每個(gè)振蕩器的頻率穩(wěn)定性的測(cè)量結(jié)果如圖6所示.這些結(jié)果是在3.3V和25℃的條件下測(cè)量50秒的時(shí)間.MEMS的頻率躍變約為±600ppb,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)大多數(shù)無(wú)線標(biāo)準(zhǔn).石英振蕩器幾乎沒(méi)有運(yùn)動(dòng),而且穩(wěn)定得多.

圖6:石英振蕩器和MEMS振蕩器穩(wěn)定性圖

5.頻率溫度特性
　　比較石英晶振和MEMS的頻率與溫度穩(wěn)定性時(shí).您會(huì)看到,基于石英的振蕩器遵循AT晶體的連續(xù)三次曲線,并且在-40℃~+85℃范圍內(nèi)達(dá)到±25ppm,對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠了.查看MEMS圖,它似乎具有更好的頻率與溫度特性,但如果仔細(xì)觀察,您會(huì)發(fā)現(xiàn)該圖顯示了在調(diào)整PLL分頻比以補(bǔ)償溫度變化時(shí)引起的頻率跳變.這會(huì)引起明顯的跳頻,以補(bǔ)償MEMS諧振器的明顯頻率漂移(30ppm/℃或3750ppm-40℃~+85℃)
　　石英在整個(gè)溫度范圍內(nèi)比MEMS穩(wěn)定得多,并具有很高的”Q”性能.石英振蕩器無(wú)需采用溫度補(bǔ)償即可在所需溫度范圍內(nèi)將穩(wěn)定性維持在低至±10ppm.如果需要更好的穩(wěn)定性,則可以向石英振蕩器添加溫度補(bǔ)償,并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)獲得低至0.5ppm的穩(wěn)定性.

圖7:頻率與溫度40MHz

　　MEMS技術(shù)還聲稱(chēng)比石英技術(shù)有其他改進(jìn),但是當(dāng)您仔細(xì)觀察這些領(lǐng)域時(shí),您會(huì)發(fā)現(xiàn)您付出的遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了獲得的回報(bào).在這個(gè)世界上,沒(méi)有什么是免費(fèi)的.
6.振動(dòng)靈敏度
　　MEMS要求提高振動(dòng)靈敏度.如果我們查看數(shù)據(jù),這將很快被揭穿.規(guī)定的典型測(cè)量范圍是從小于一個(gè)電平到2kHz.高于2kHz時(shí),振動(dòng)密度會(huì)大大降低.我們測(cè)量的相位抖動(dòng)積分范圍為12kHz至20MHz.該范圍明顯高于任何客戶(hù)指定的最大振動(dòng)水平.通過(guò)改進(jìn)石英的幾何形狀,更高頻率的毛坯和更好的制造工藝,石英制造商已大大提高了與MEMS相比的振動(dòng)靈敏度.
　　振動(dòng)敏感度的度量單位是每十億分之一振動(dòng)的十億分之一(ppb/g)
　　A)MEMS振動(dòng)敏感度的范圍是0.01ppb/g~1ppb/g.
　　B)石英振動(dòng)靈敏度范圍為0.1ppb/g~1ppb/g
7.可靠性(MTBF)
　　MEMS的平均故障間隔時(shí)間(MTBF)為130,000年,而石英水晶振子的平均故障間隔時(shí)間為30,000年.從表面上看,4:1的改善比率似乎是一個(gè)重要的話(huà)題,直到您認(rèn)為大多數(shù)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)生命周期都少于五年.通常,長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)的生命周期為10到15年,很少的一組需要長(zhǎng)達(dá)20年.如果比較在比較MEMS和石英時(shí)所損失的抖動(dòng),相位噪聲和溫度性能折衷,則今天您將放棄大量的性能,因此您的產(chǎn)品可能會(huì)使用130,000年.供參考:人類(lèi)已經(jīng)存在了20萬(wàn)年.文明僅6000年.我認(rèn)為我們都可以同意,30,000年就足夠了.
8.總結(jié)
　　指標(biāo)1~5的評(píng)估結(jié)果摘要如下所示.

　　以上所有論述和技術(shù)資料都摘自美國(guó)ECS晶振公司發(fā)表的文章,結(jié)合了近10年的一些數(shù)據(jù)和實(shí)際情況,該論文中提到的8大重要點(diǎn)和知識(shí)點(diǎn),都是用戶(hù)和工程們比較感興趣和需要知道的一些話(huà)題,文章進(jìn)行了一一剖析和講解,讓廣大新老客戶(hù)更加了解晶體與硅晶之間的區(qū)別和實(shí)際作用.
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