Pletronics新型頻率控制技術(shù)SM13T-18-26.0M20H1LK
1,介紹
2,研究的裝置和方法
本研究在相同的測試條件下對以下裝置應(yīng)用了標準測量技術(shù),以便對性能和能力進行直接比較:
本文給出的結(jié)果基于已建立的頻率控制測量技術(shù),該技術(shù)采用了2012年研究設(shè)備時可商購的當前測試技術(shù)。除非另有說明,所有試驗均在相同條件下進行。
Pletronics新型頻率控制技術(shù)
2,OCXO技術(shù)
Ovenized Crystal Oscillator(OCXO)恒溫晶振,通常用于高精度頻率應(yīng)用。這種方法將晶體和相關(guān)的振蕩器電路加熱到晶體的上轉(zhuǎn)折點。圖2顯示了OCXO應(yīng)用程序中使用的上部轉(zhuǎn)折點的一部分。
這些振蕩器的晶體是這樣制造的,即上轉(zhuǎn)折點高于規(guī)定的最高溫度范圍。晶體和相關(guān)電路被加熱到并保持晶體上該點附近的狹窄溫度窗口,并且器件被調(diào)諧到該溫度下的頻率。
圖#3顯示了當EFC與TCXO類似地變化+/-4 ppm和+/-8 ppm時OCXO石英晶體振蕩器的頻率-溫度特性。數(shù)據(jù)顯示,與50-100ppb的TCXO相比,OCXO與控制電壓變化相關(guān)的穩(wěn)定性在5-10ppb的范圍內(nèi)。
Pletronics新型頻率控制技術(shù)
OCXO還有一個額外的優(yōu)點,即在非常窄的溫度窗口(通常為幾度或更低)上鍛煉晶體。這大大減少了激發(fā)晶體中不需要的模式的機會。這種方法的最大缺點是設(shè)備的尺寸和功率要求。隨著技術(shù)的進步,這些設(shè)備的尺寸和功率要求都在不斷降低。
本申請說明中提供的數(shù)據(jù)取自商用現(xiàn)成產(chǎn)品。供應(yīng)商之間的確切數(shù)字會有所不同,但總體趨勢和大致幅度應(yīng)該相似。在選擇合適的設(shè)備之前,需要審查的關(guān)鍵問題是頻率穩(wěn)定性的變化,以及校準和長期穩(wěn)定性(老化)所需的調(diào)整。OCXO對這些效應(yīng)的敏感性只有TCXO溫補晶振的四分之一。在考慮產(chǎn)品的使用壽命時,應(yīng)考慮到這一點。
下表概述了OCXO和TCXO產(chǎn)品之間需要考慮的差異。一般來說,當尺寸和功率對應(yīng)用至關(guān)重要時,首選TCXO。這些往往是手持或電池操作的設(shè)備。就頻率穩(wěn)定性而言,OCXO是一種更穩(wěn)健的產(chǎn)品。這種類型的產(chǎn)品往往更適合通信/網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。表A應(yīng)該有助于指導(dǎo)設(shè)計者為應(yīng)用程序選擇最合適的技術(shù)。
Description | |||||
---|---|---|---|---|---|
UCG4
TCXO or VCTCXO |
Clipped Sine | 10 to 40MHz | 1.8V - 3.3V | 2.0x1.6 | |
UCG6
TCXO or VCTCXO |
Clipped Sine | 10 to 40MHz | 1.8V - 3.3V | 2.0x1.6 | |
UCF4
TCXO or VCTCXO |
Clipped Sine | 10 to 40MHz | 1.8V - 3.3V | 2.5x2.0 | |
UHF4
TCXO |
CMOS | 9.5 to 40MHz | 1.8V - 3.3V | 2.5x2.0 | |
UCE4
TCXO or VCTCXO |
Clipped Sine | 10 to 40MHz | 1.8V - 3.3V | 3.2x2.5 | |
UHE4
TCXO |
CMOS | 9.5 to 40MHz | 1.8V - 3.3V | 3.2x2.5 | |
UCD4
TCXO or VCTCXO |
Clipped Sine | 10 to 40MHz | 2.5V - 3.3V | 5x3.2 | |
UHD4
TCXO or VCTCXO |
CMOS | 10 to 40MHz | 2.5V - 3.3V | 5x3.2 |
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